Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Silizium-Saphir-Grenzfläche — skiriamasis silicio ir safyro paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon sapphire interface vok. Silizium Saphir Grenzfläche, f rus. поверхность раздела кремний сапфир, f pranc. interface silicium saphir, f … Radioelektronikos terminų žodynas
silicon-sapphire interface — skiriamasis silicio ir safyro paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon sapphire interface vok. Silizium Saphir Grenzfläche, f rus. поверхность раздела кремний сапфир, f pranc. interface silicium saphir, f … Radioelektronikos terminų žodynas
skiriamasis silicio ir safyro paviršius — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon sapphire interface vok. Silizium Saphir Grenzfläche, f rus. поверхность раздела кремний сапфир, f pranc. interface silicium saphir, f … Radioelektronikos terminų žodynas
поверхность раздела кремний-сапфир — skiriamasis silicio ir safyro paviršius statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon sapphire interface vok. Silizium Saphir Grenzfläche, f rus. поверхность раздела кремний сапфир, f pranc. interface silicium saphir, f … Radioelektronikos terminų žodynas
TRANSISTORS ET THYRISTORS — Dispositif semi conducteur à deux jonctions mis au point, en 1948, par trois chercheurs des Bell Telephone Laboratories (John Bardeen, William B. Shockley et Walter H. Brattain, auxquels on décerna le prix Nobel de physique en 1956), le… … Encyclopédie Universelle
Barytine — Catégorie VII : sulfates, sélénates tellurates, chromates, molybdates, tungstates[1] Barytine Frizington, Angleterre (5,4×4,6 cm) … Wikipédia en Français
